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IS61WV204816B并行RAM芯片介紹-匯超電子

來源: | 發(fā)布日期:2021-08-30 瀏覽量:

IS61WV204816B是一款并行RAM芯片。器件使用了高性能CMOS制造技術(shù),電路也采用了創(chuàng)新的設(shè)計技術(shù),器件在產(chǎn)生高性能的同時功耗較低。當(dāng)COS為高電平時,設(shè)備將采用待機(jī)模式下的功耗,可以降低CMOS輸入電平。

當(dāng)器件為高電平時,將會采用待機(jī)模式,在該模式下,功耗可以隨著CMOS輸入電平的降低而降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入,能夠輕松的提供內(nèi)存擴(kuò)展。低寫入使能可以有效的控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)和低字節(jié)訪問。

該器件采用48引腳TSOP封裝,具有10ns、12ns的高速存取時間,適合用于便攜式應(yīng)用。

IS61WV204816B-并行RAM-ISSI芯片-芯片供應(yīng)商-匯超電子

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【本文標(biāo)簽】IS61WV204816B 并行RAM ISSI芯片

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