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聯(lián)發(fā)科未來(lái)將會(huì)采用臺(tái)積電3納米布局先進(jìn)封裝

來(lái)源: | 發(fā)布日期:2021-11-11 瀏覽量:

11月10日成功大學(xué)舉辦了第一屆成電論壇,在會(huì)上聯(lián)發(fā)科副總高學(xué)武表示,目前公司已采用了臺(tái)積電5納米、4納米制程來(lái)生產(chǎn)芯片,未來(lái)3納米聯(lián)發(fā)科也一定會(huì)采用,并與客戶(hù)共同布局先進(jìn)封裝,將應(yīng)用在資料中心等領(lǐng)域。

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高學(xué)武表示,半導(dǎo)體在各領(lǐng)域含量不斷增加,推升產(chǎn)業(yè)年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)10%以上,尤其是車(chē)載芯片,盡管聯(lián)發(fā)科車(chē)用芯片營(yíng)收占比重不高,不過(guò),已看到未來(lái)全球碳中和將帶動(dòng)電動(dòng)車(chē)趨勢(shì),進(jìn)一步帶動(dòng)晶圓消耗量。

聯(lián)發(fā)科車(chē)用芯片現(xiàn)今主流制程多布局在55、40納米,針對(duì)現(xiàn)今供應(yīng)鏈產(chǎn)能吃緊,高學(xué)武坦言,現(xiàn)今成熟制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能仍相當(dāng)緊張,將持續(xù)爭(zhēng)取新產(chǎn)能,滿(mǎn)足客戶(hù)需求,但最重要的仍須依靠晶圓廠擴(kuò)充新產(chǎn)能。

不過(guò),隨著制程不斷往前邁進(jìn),終端產(chǎn)品、芯片廠也會(huì)跟進(jìn),如蘋(píng)果每年均推出搭載最新制程芯片的手機(jī),英特爾也將持續(xù)推出新節(jié)點(diǎn)的CPU,借此提升終端產(chǎn)品性能。

此外,由于摩爾定律發(fā)展即將到極限,聯(lián)發(fā)科也采用封裝整合延續(xù)定律,藉由整合同質(zhì)芯片與異質(zhì)芯片,突破摩爾定律的限制,聯(lián)發(fā)科目前已采用臺(tái)積電的CoWoS、InFO等封裝技術(shù),應(yīng)用在資料中心等,未來(lái)也會(huì)進(jìn)一步采用3DIC。





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