2022年8月3日，SK海力士宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。

近日，SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC* 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。公司表示，僅用時1年7個月，就成功完成了新一代技術的研發(fā)。此次238層NAND閃存在達到業(yè)界最高堆棧層數(shù)的同時實現(xiàn)了全球最小的面積，其意義更加非凡 。

當天，SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。

SK海力士在2018年研發(fā)的96層NAND閃存就超越了傳統(tǒng)的3D方式，并導入了4D方式。為成功研發(fā)4D架構的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術*和PUC* 技術。相比3D方式，4D架構具有單元面積更小，生產(chǎn)效率更高的優(yōu)點。

238層NAND閃存成功堆棧更高層數(shù)的同時，實現(xiàn)了業(yè)界最小的面積。新產(chǎn)品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產(chǎn)出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產(chǎn)效率也提高了34%。

此外，238層NAND閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時的能源消耗也減少了21%。可以說，SK海力士通過節(jié)省芯片的電力消耗，在ESG方面也取得了可圈可點的進步。

SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應用范圍為PC用存儲設備）供應238層NAND閃存，隨后將其導入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器SSD等。公司還將于明年發(fā)布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產(chǎn)品，其密度是現(xiàn)有產(chǎn)品的兩倍。