12月8日消息，SK海力士今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá)8Gbps，較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。

該MCR DIMM產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為DDR5的運(yùn)行速度取決于單個(gè)DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè)DRAM芯片的速度。

SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)*同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列。

傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，而在MCR DIMM模塊中，兩個(gè)內(nèi)存列同時(shí)運(yùn)行可向CPU傳輸128個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個(gè)DRAM的兩倍。